E+H塑料衛(wèi)生型數(shù)字電極可以分為CPS471模擬式電極或 CPS471D數(shù)字式電極，ISFET 電極，可蒸汽消毒和高溫滅菌，用于pH 測量。它主要應用于衛(wèi)生型和無菌應用場合；食品行業(yè)和制藥行業(yè)；生物技術。通過ATEX、FM 和CSA 認證，適用于危險應用場合。 E+H塑料衛(wèi)生型數(shù)字電極CPS471（D）的優(yōu)勢如下：
• 抗破裂：電極本體采用PEEK 材料；直接安裝在過程中，操作簡便，降低了使用成本，適用于采樣和實驗室分析
• 生物兼容性認證
• 雙腔室參比系統(tǒng)：抗毒性；無聚丙烯酰胺凝膠
• 滿足低溫應用要求：響應時間短；始終具有高測量精度
• 可蒸汽消毒和高溫滅菌
• 相比于玻璃電極，具有較長的標定間隔時間——交替變化的溫度條件下，具有較短的遲滯時間；經(jīng)過高溫條件后，測量誤差依舊很??；幾乎無酸堿誤差
• 內置溫度傳感器用于有效溫度補償
• 與自動可伸縮式安裝支架配套使用，是CIP 過程的理想選擇 E+H塑料衛(wèi)生型數(shù)字電極的測量原理：離子選擇性，或更常見的離子敏感場效應晶體管(ISFET) 于70 年代設計開發(fā)，作為pH 測量當中除玻璃電極之外的一種有效補充。
基本原理：離子選擇性場效應晶體管采用MOS 1)晶體管結構，其中金屬柵極 ( 部件1) 不是控制電極。相反， ISFET 中的介質(部件3) 直接接觸柵極隔離層( 部件2)。兩個強N 型導電區(qū)擴散至半導體材料(Si) 的P 型導電基板(部件5)。N 型導電區(qū)為電流供給電極(“ 源極”，S) 和電流接收電極(“ 漏極”， D)。金屬柵極電極(MOSFET) 和介質(ISFET) 形成以下帶基板的電容器。柵極和基板(UGS) 間的電勢差導致“源極”和“漏極”間出現(xiàn)較高電子密度。形成N型導電溝道( 部件2)，即產(chǎn)生漏電電流(ID)。  圖1: MOSFET 管原理示意圖 圖2: ISFET 原理示意圖
1 金屬柵極 1 參比電極 2 N型導電溝道 4 介質
2 N型導電溝道 3 柵極隔離層 5 P型硅基板 6 電極桿
使用ISFET 時，介質直接接觸柵極隔離層。因此，介質中出現(xiàn)氫離子(H+)，位于介質/ 柵極隔離層
的邊緣層，產(chǎn)生電場( 柵極電位)。取決于上述效應，形成N 型導電溝道，且“ 源極” 和“ 漏極”
之間形成電流。合適的電極回路基于離子選擇性柵極電位關系生成輸出信號，與離子類型濃度呈
比例。
pH 選擇性IsFET——柵極隔離層用作氫離子(H+) 的離子選擇性層。柵極隔離層不能滲透離子( 隔離效應)，但允許氫離子(H+) 的可逆表面反應。
取決于測量溶液的酸或堿特性，隔離層表面的功能組接收或拒絕氫離子(H+) ( 功能組字符)，導致
隔離層表面的正放電 ( 酸性介質接收氫離子(H+)) 或負放電( 堿性介質拒絕氫離子(H+))。取決于pH
值，可以使用表面電荷控制“ 源極” 和“ 漏極” 之間的溝道場效應。
Topcal 全自動測量、清洗和標定系統(tǒng)的優(yōu)點：
• CIP 清洗
安裝在可伸縮式安裝支架中的電極在清洗前可以自動從介質中移出。在可伸縮式安裝支架的沖洗腔室中使用合適的清潔劑清洗電極。
• 單獨設置標定周期。
• 全自動清洗和標定功能使得維護成本降低。
• 自動標定可以優(yōu)化重現(xiàn)測量結果，并使得每個參數(shù)的偏差極小。 我們?yōu)槟兄Z所以德國品牌的產(chǎn)品都是*，假一罰十，質保一年！我們以具有競爭優(yōu)勢的價格、原廠出貨的品質、不同規(guī)格產(chǎn)品的庫存以及熱誠的態(tài)度為您服務。我們的公司是具有強大的實力的：有三家30-50人的公司（國內），其中一家公司專門負責進口產(chǎn)品的報關，每次進口的貨物都是我們公司自己進行報關，減少了更多的時間和物力成本。我們國外有2家公司（一家在德國，另一家在美國）主要負責海外自動化產(chǎn)品的咨詢和采購，為我們提供更好的產(chǎn)品和咨詢！數(shù)量大價格更優(yōu)惠！ |
